碳化硅一維納米資料因為本身的微觀描摹和晶體結構使其具有更多獨特的優(yōu)異功用和愈加廣泛的使用遠景，被普遍認為有望成為第三代寬帶隙半導體資料的重要組成單元。第三代半導體資料即寬禁帶半導體資料，又稱高溫半導體資料，首要包含碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。這類資料具有寬的禁帶寬度（禁帶寬度大于2.2ev）、高的熱導率、高的擊穿電場、高的抗輻射才能、高的電子飽和速率等特點，適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的制造。第三代半導體資料憑借著其優(yōu)異的特性，未來使用遠景非常寬廣。